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CP截面抛光仪/氩离子抛光仪（测试）
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项目简介
氩离子抛光技术/离子研磨CP（Cross section Polisher）用于SEM、EPMA、EBSD等样品的制备。依靠离子束轰击制备样品剖面，可以获得表面平滑的样品，观察范围大、清洁而且适用于几乎所有材料，而不会对样品造成机械损害。去除损伤层，从而得到高质量样品。而机械研磨抛光制备出来的样品表面粗糙不平、坑坑洼洼、划痕损伤多、界限不清。
相比较下氩离子抛光/CP截面抛光的优点：
（1）对由硬材料和软材料组成的复合材料样品, 能够很精细地制作软硬接合部的截面, 而使用传统方法制样是很困难的。
（2）比FIB方法的抛光面积更大（~1mm以上）
针对不同的样品的硬度，设置不同的电压、电流、离子枪的角度、离子束窗口，控制氩离子作用的深度、强度、角度、这样较精准的参数，有利于制备成研究者理想的材料样品，这样的样品不仅表面光滑无损伤，而且还原材料内部的真实结构。
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结果展示
以下为CP截面抛光处理后的样品拍摄的SEM图片
1. 锂电正极
2. 电池隔膜
3. 正极颗粒
样品要求
1. 样品状态：粉末，块状，薄膜；
2. 粉末样品要求：500mg以上，体积1ml以上；
3. 截面制备样品要求：长宽厚小于20*20*10mm，如样品可剪裁可大一些；
4. 平面抛光样品要求：以待抛光区域为中心点，样品直径不超过25mm、厚度0~20mm，（超出部分需要磨平）；
5. 样品本身要求：无毒，无放射性，无污染，成分稳定不易挥发，易氧化吸水的需要真空保存，需要特殊位置切割的请附件说明，基于电镜分辨率限制，样品颗粒需要≥100nm才能观察。
6. 送样前需要对样品进行预处理：样品预磨抛，样品要磨平，样品的上下表面要平行，样品抛光面至少用4000目砂纸磨平，在显微镜下看起来光滑，不粗糙。
常见问题
1. 如何判断需要冷台？
熔点较低，30-80℃容易变形、融化、收缩的样品需要冷台。(室温条件下常规切割，样品表面温度能达到50℃以上，并随着切割时间增加而增加)
2. 粉末样品如何进行切割？
粉末是包埋后使用铝箔固定再进行切割，包埋剂有两种，分别是AB胶型环氧树脂（主要成分C）和银浆溶液（主要成分是Ag），一般样品成分原子序数较小(多数是碳)选用银浆溶液包埋，原子序数大的会选用AB胶型环氧树脂进行包埋，尤其需要元素分析的时候需要选择合适的包埋剂，尽量避免元素影响。
3. 铝箔纸的作用？
固定样品和防止切割过程造成样品污染。铝箔纸不会对样品形貌和元素组成造成影响，图片拍摄和元素检测过程可以规避铝箔纸，也可以直接将铝箔纸揭下来。
铝箔纸和样品位置
4. 包埋剂的影响？
包埋剂不会影响粉末颗粒的细微形貌，AB胶型环氧树脂包埋剂会填充缝隙和空心区域，Ag浆溶液会在颗粒周围形成包覆膜包裹样品，并不会和样品发生化学反应，影响形貌。
AB胶型环氧树脂填充缝隙 银浆溶液包覆样品
